硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析

• 作者: LAI Hong-kai 周志文 李成 蔡志猛 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: Ge 弛豫缓冲层 MSM光电探测器
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 587-590
• 页数: 4页
• 分类号: TH867+.91
• 字数: 2252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.05.006

摘要

利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,以低温下生长的薄的Si1-xGex和Ge作为缓冲层,在Si(100)衬底上外延出表面平整(粗糙度＜1 nm)、位错密度低(＜5×105 cm-2、厚度约为500 nm的高质量纯Ge层.Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入的张应变,应变大小约为0.2%.以外延的Ge层为吸收区、在硅基上制备了台面面积为195×150 μm2的金属-半导体-金属(MSM)光电探测器.在-1 V偏压下,暗电流为2.4×10-7 A;在零偏压下,光响应波长范围扩展到1.6 μm以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	68	248	8.0	12.0
2	赖虹凯	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	17	32	3.0	5.0
3	李成	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
4	周志文	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	3	20	2.0	3.0
5	蔡志猛	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	1	12	1.0	1.0
6	LAI Hong-kai	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	1	12	1.0	1.0