GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制

• 作者: 程翔 蔡加法 邓彩玲 陈小红 陈松岩
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 金属-半导体-金属(MSM)结构 紫外探测器
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TN361.2
• 字数: 2693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2007.01.011

摘要

用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21 A/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小红	厦门大学物理学系	17	133	5.0	11.0
2	蔡加法	厦门大学物理学系	27	107	6.0	8.0
3	程翔	厦门大学机电工程系	23	63	5.0	6.0
4	邓彩玲	厦门大学物理学系	9	49	3.0	7.0
5	陈松岩	厦门大学物理学系	68	248	8.0	12.0