一种新型全方位反射AlGaInP薄膜发光二极管

• 作者: 李建军 沈光地 邹德恕 郭伟玲 高伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝镓铟磷 薄膜发光二极管 全方位反射镜
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 751-753
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.026

摘要

提出了一种新型全方位反射A1GalnP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm管芯裸装在TO-18金属管座上,在20mA的电流驱动下,测得电压为2.2V,光强达到195mcd,光功率达到3.78mW,比常规吸收衬底LED提高3.6倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	李建军	北京工业大学北京市光电子技术实验室	52	234	7.0	12.0
3	高伟	北京工业大学北京市光电子技术实验室	17	155	5.0	12.0
4	邹德恕	北京工业大学北京市光电子技术实验室	58	270	10.0	12.0
5	郭伟玲	北京工业大学北京市光电子技术实验室	74	656	10.0	23.0