非晶硅电池参数影响

• 作者: 任慧志
• 来源期刊: 中国外资
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 微晶硅 SC
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 科技视角
• 页码范围: 310-311
• 页数: 2页
• 分类号: TM91
• 字数: 1999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8146-B.2008.11.221

摘要

在相同氢稀释硅烷浓度和相同的其它沉积参数情况下,在电池和玻璃上本征材料晶化程度不同,微结构有差别.硅烷浓度SC=8%～2%区间采用提高氢稀释硅烷浓度的方法沉积非晶硅,可使材料的有序度提高.本征层材料硅烷浓度SC=6%的电池在沉积时随着衬底温度的增高,电池的开路电压逐渐减小;电池的填充因子随着本征层压力的增大也呈现上升趋势,开路电压随着沉积压力的增大又逐渐降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任慧志	南开大学光电子所	10	54	4.0	7.0