高性能有机薄膜晶体管(OTFT)制备及其导电机制

• 作者: 于爱芳 江潮 祁琼
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管 并五苯 初始生长模式 导电机制
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 385-390
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5|TN304.5
• 字数: 2947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.07.001

摘要

详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术(AFM)和静电力显微技术(EFM)研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性能(包括化学清洗和聚合物层修饰)对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联,包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等;针对并五苯初始生长成核模式的差异,分析了不同岛(畴)间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响,有助于理解有机半导体薄膜导电机理.通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质,在SiO2介质层上成功制备出迁移率为1.0 cm2/V·s、开关电流比达到106的OTFT器件;在高kfO2介质层上获得的OTFT器件的工作电压在-5V以下,开关电流比达到105,载流子迁移率为0.6cm2/V·s;器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江潮		6	21	2.0	4.0
2	于爱芳		1	5	1.0	1.0
3	祁琼		1	5	1.0	1.0