高性能顶栅结构有机薄膜晶体管

• 作者: 向长江 张其国 朱棋锋 洪飞 申剑锋 谭莉 郭晓东 韩学斌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 313-317
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20122703.0313

摘要

采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT).在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多.在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6 cm2/V·s.研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因.