Cd0.9 Zn0.1 Te晶体的A1掺杂研究

• 作者: 介万奇 刘伟华 徐亚东 徐凌燕 王涛
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Cd0.9Zn0.1Te Al掺杂 霍尔测试 红外透过率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 529-531,534
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3051字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.04.001

摘要

采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了A1掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响.在相同的工艺条件下,A1掺杂晶体获得了6 × 109～2 × 1010Ω·cm的高电阻率,呈弱p或弱n型导电;In掺杂晶体电阻率在105Ω·cm数量级,呈n型导电;A1掺杂晶体在波数4000～500cm-1范围内红外透过率平直且较高,而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低,在波数1250cm-1处降至零.采用A1掺杂晶片制备的探测器对241Am 59.54keV射线的能量分辨率为14%,表明所生长A1掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	王涛	西北工业大学材料学院	100	658	13.0	21.0
3	徐亚东	西北工业大学材料学院	23	70	5.0	7.0
4	刘伟华	西北工业大学材料学院	5	29	3.0	5.0
5	徐凌燕	西北工业大学材料学院	3	2	1.0	1.0