作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础.文章介绍了0.18μmCMOS反相器的主要工艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析.
推荐文章
10Gb/s0.18μm CMOS工艺复接器设计
复接器
D锁存器
CMOS工艺
时钟偏差
采用0.18μm CMOS工艺的多端口SRAM设计
多端口
单位线
SRAM
电流模式
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 简析0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程
来源期刊 常州工学院学报 学科 工学
关键词 集成电路制造工艺 CMOS反相器 pMOS nMOS
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 37-40,44
页数 5页 分类号 TN405
字数 2153字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-0436.2009.01.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邵春声 常州工学院电子信息与电气工程学院 11 33 3.0 5.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (1)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2011(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
集成电路制造工艺
CMOS反相器
pMOS
nMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
常州工学院学报
双月刊
1671-0436
32-1598/T
大16开
江苏常州市通江南路299号
1986
chi
出版文献量(篇)
2745
总下载数(次)
11
总被引数(次)
8233
论文1v1指导