沟槽型MOSFET的发展

• 作者: 王翠霞 范学峰 许维胜 谢福渊
• 来源期刊: 通信电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽型MOSFET 厚栅氧 MOSFET RSOMOSFET 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 器件之窗
• 页码范围: 72-74
• 页数: 3页
• 分类号: TN86
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-3664.2009.01.020

摘要

在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小.文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSO MOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许维胜		153	1846	22.0	38.0
2	范学峰		21	262	8.0	16.0
3	王翠霞		13	110	4.0	10.0