齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用

• 作者: 宋德 杨宝麟 王佛松 田洪坤 耿延候 闫东航
• 来源期刊: 分子科学学报
• 学科: 化学
• 关键词: [3,2-b]并二噻吩 有机半导体 有机薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 153-157
• 页数: 5页
• 分类号: O626
• 字数: 3905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9035.2009.03.002

摘要

通过Stille偶联反应合成了5.5"-二辛基.2.2':5'2'-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13 cm2/V·s,开关比为7×103,阈值电压为-19V.