1064nm应变量子阱的理论设计

• 作者: 吕坤颐 廖柯 赵段力
• 来源期刊: 江西通信科技
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs/GaAs量子阱 量子尺寸效应 应变效应
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 理论前沿
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN91
• 字数: 1701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0940.2009.03.016

摘要

根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的lnGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1 064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵段力	重庆邮电大学光电工程学院	1	1	1.0	1.0
2	廖柯	重庆邮电大学光电工程学院	2	1	1.0	1.0
3	吕坤颐	重庆邮电大学光电工程学院	2	2	1.0	1.0