化学镍金UBM沉积差异探讨

• 作者: 刘勇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体晶圆 化学镍金 UBM 沉积差异 混合电位
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TQ153.1
• 字数: 2472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.10.009

摘要

UBM(under bumping metallization凸点下金属)的制作是整个FlipChip和WLCSP封装工艺中的关键.化学镍金UBM技术以其成本低、可靠性高而受到越来越多的关注和应用.对于不同功能和大小的I/O金属电极,化学镍金UBM的沉积会出现差异和不同.文中用混合电位理论解释了半导体晶圆化学镍金UBM沉积差异的现象.搅拌因素对于面积大小不同的I/O电极混合电位的影响是不同的,面积小的I/O电极其UBM沉积速度高于面积大的I/O电极.不同功能的I/O电极有着不同的起始电势,从而影响I/O电极的混合电位,表现为最终UBM沉积厚度和表面形貌的差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘勇		2	7	2.0	2.0