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摘要:
讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术.使用Chartered 0.25μm RF CMOS 工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA.后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为-13.0dBm,三阶交调点IIP3为-0.06dBm,消耗的电流为8.19mA.
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文献信息
篇名 1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器
来源期刊 电路与系统学报 学科 工学
关键词 低噪声放大器 噪声系数 低电压 折叠式共源共栅 线性度提高
年,卷(期) 2009,(4) 所属期刊栏目 短文
研究方向 页码范围 97-100,49
页数 5页 分类号 TN43
字数 2748字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-0249.2009.04.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐跃 南京邮电大学光电工程学院 27 94 7.0 8.0
2 杨英强 南京邮电大学光电工程学院 13 55 4.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
噪声系数
低电压
折叠式共源共栅
线性度提高
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电路与系统学报
双月刊
1007-0249
44-1392/TN
16开
广东省广州市
1996
chi
出版文献量(篇)
2090
总下载数(次)
5
总被引数(次)
21491
论文1v1指导