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摘要:
通过采用插入缓冲层的办法,利用金属有机气相外延(MOCVD)得到高质量的AlGaN薄膜,克服了AlGaN薄膜容易产生裂纹的缺点.在此基础上,我们通过采用传统的紫外光刻和湿法刻蚀的方法,制备得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的Al0.25Ga0.75N紫外光电探测器.结果表明,在1 V偏压下,器件的暗电流仅为20 pA,如此低的暗电流主要是由于器件中存在一定量的缺陷而导致电阻过大的原因造成的.器件的最高峰值出现在308 nm,大小为0.07 A/W,器件的上升时间为10 ns,下降时间为190 ns.
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文献信息
篇名 肖特基型氮铝镓紫外光电探测器
来源期刊 中国计量学院学报 学科 物理学
关键词 氮铝镓 紫外光电探测器 肖特基
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 227-230
页数 4页 分类号 O472
字数 1853字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1540.2009.03.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵曼 空军航空大学特种专业系 13 40 4.0 5.0
2 李健 3 1 1.0 1.0
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氮铝镓
紫外光电探测器
肖特基
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季刊
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33-1401/C
大16开
杭州市下沙高教园
1990
chi
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