基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文制备并研究了肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β-Ga2O3的(-201)晶面X射线衍射峰半高宽仅为36 arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的I-V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性,在-5V偏压下暗电流保持在0.1nA量级,正向导通电压为1.5V;光电流谱显示器件在240nm处存在显著的峰值响应,并在260nm左右呈现陡峭的截止边,日盲紫外的带内带外抑制比达到1000.同时,也研究了不同掺杂对Ga2O3晶体质量的影响.
推荐文章
Ga2O3/p-GaN 异质结自供电 日盲紫外光探测器的制备与光电性能研究
氧化镓
异质结
自供电
日盲紫外光探测器
一种肖特基势垒强型N-AlGaN基 MSM日盲紫外光电探测器
探测器
紫外光电探测器
铝镓氮
日盲
肖特基势垒
紫外光电探测器的发展研究
紫外
探测器
半导体
宽禁带
AIGaN紫外光电导探测器的研究
AlGaN
光电导探测器
紫外光
PPC
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 肖特基型β-Ga2O3日盲紫外光电探测器
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 肖特基 β-Ga2O3 日盲紫外光电探测器
年,卷(期) 2020,(6) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 1240-1243
页数 4页 分类号 TL814
字数 2414字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.06.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨莲红 昌吉学院物理系 33 79 6.0 7.0
2 陈敦军 南京大学电子科学与工程学院 17 44 3.0 5.0
3 张保花 昌吉学院物理系 27 55 4.0 5.0
4 郭福强 昌吉学院物理系 21 49 4.0 5.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (14)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2007(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2011(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2012(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2013(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2015(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2016(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2018(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2020(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
肖特基
β-Ga2O3
日盲紫外光电探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
论文1v1指导