超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展

• 作者: 吴真平 唐为华 李培刚 郭道友 陈政委
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ga2O3 超宽带隙半导体 日盲探测器 深紫外透明电极
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-36
• 页数: 36页
• 字数: 14963字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20181845

摘要

β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外—可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga2O3材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga2O3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88％,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga2O3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×103 A/W,响应时间为20μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐为华	北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室	6	17	3.0	4.0
5	李培刚	北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室	1	2	1.0	1.0
9	陈政委	北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室	1	2	1.0	1.0
10	吴真平	北京邮电大学理学院信息功能材料与器件实验室	1	2	1.0	1.0