β-Ga2O3薄膜掺杂工艺及性能研究进展

• 作者: 孔乐 张浩 潘志伟 白志英 邓金祥
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3 薄膜 掺杂
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 页码范围: 1683-1690
• 页数: 8页
• 分类号: TN383
• 字数: 5152字
• 语种: 中文

摘要

β-Ga2O3薄膜因其禁带宽度大,稳定性高,生产成本低等优势,被认为是在光电探测器、发光器件等领域非常有前景的材料之一.但β-Ga2O3较低的导电率限制了其在某些领域的应用,通过掺杂技术改进β-Ga2O3薄膜在光学和电学的性能吸引了大量科研者的目光.本文介绍了几种常用的掺杂手段及掺杂对β-Ga2O3薄膜结构和光电特性的影响,并对以后的研究工作进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔乐	北京工业大学应用数理学院	18	53	5.0	7.0
2	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0
3	张浩	北京工业大学应用数理学院	21	93	5.0	9.0
4	白志英	北京工业大学应用数理学院	5	6	1.0	2.0
5	潘志伟	北京工业大学应用数理学院	6	6	1.0	2.0