GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究

• 作者: 孙晓霞 梁建 许并社 赵君芙 马淑芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化镓 薄膜 光致发光 生长机理
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 581-584
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1598字
• 语种: 中文

摘要

采用热蒸发沉积法,以砷化镓和氧化镓粉末为原料,以氧化铟为催化剂,在800 ℃的氩气气氛中,在(100)砷化镓基片表面上沉积生成GaAs/Ga2O3薄膜.以配有成分分析的场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、光致发光仪(PL)等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征.研究结果表明:薄膜以规整的波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上,所得薄膜为GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜,光致发光峰为强的红光发射;薄膜的生长机理为固-气-固过程,薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许并社	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面与工程教育部重点实验室	335	3432	28.0	45.0
2	梁建	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面与工程教育部重点实验室	25	211	8.0	14.0
3	赵君芙	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面与工程教育部重点实验室	21	131	5.0	10.0
4	马淑芳	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面与工程教育部重点实验室	14	132	4.0	11.0
5	孙晓霞	太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面与工程教育部重点实验室	3	2	1.0	1.0