纳米Al夹层Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

• 作者: 刘建军 李爱丽 石亮 闫金良
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 深紫外 多层膜 透明导电膜
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 44-46
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.4
• 字数: 1977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.10.014

摘要

用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜,对其光学和电学性能进行了表征.单层Al膜厚度大于7 nm时,光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域;Ga2O3膜在深紫外光区域(<300 nm)透明,光学带隙4.96 eV;Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜透射率截止波长在245 nm左右,随着顶层Ga2O3厚度增加,电导率减小,紫外光透射率峰位、吸收边、截止波长红移,透射率峰值先稍微增加,然后逐渐降低.顶层Ga2O3厚度为34 nm时,Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜在275 nm处的透射率达70%,电导率为3 346 S·cm–1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫金良	鲁东大学物理与电子工程学院	25	100	5.0	8.0
2	李爱丽	鲁东大学物理与电子工程学院	6	25	4.0	4.0
3	石亮	鲁东大学物理与电子工程学院	4	12	3.0	3.0
4	刘建军	鲁东大学物理与电子工程学院	12	66	4.0	8.0