退火温度对透明导电Ga2O3/ITO周期多层膜性能的影响

• 作者: 赵银女
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 多层膜 透明导电膜 退火 光学性质 电学性质
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 559-563
• 分类号: TN304.9|O474
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.018

摘要

用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵银女	鲁东大学教务处	8	29	3.0	5.0