β-Ga2O3薄膜的分子束外延生长及其紫外光敏特性研究

• 作者: 刘兴钊 岳超 王伟 褚夫同
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3 分子束外延 日盲 MSM 紫外探测器 光响应度
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TN36
• 字数: 1387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.005

摘要

采用分子束外延(MBE)方法在Al2O3(0001)基片上生长了β-Ga2O3薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征.制作了基于β-Ga2O3薄膜的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器并对其进行了电学特性测试,结果表明:在20V偏压下,器件的暗电流为8nA;在波长为254 nm、光照强度为13×10-6 W/cm2的紫外光照射下,器件的光电流为624 nA;器件的光电流与暗电流比值为78,光响应度达360 A/W,表现出明显的日盲紫外光响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
2	王伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	47	353	12.0	15.0
3	褚夫同	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	20	4.0	4.0
4	岳超	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	1.0	2.0