提高多晶电阻工艺稳定性

• 作者: 吴建伟 江月艳 王传博 贺琪
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶电阻 离子注入 多晶淀积 方块电阻和均匀性
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.08.010

摘要

文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论.同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控.最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	25	39	4.0	4.0
2	贺琪	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	2	1.0	1.0
3	江月艳	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	1	1.0	1.0
4	王传博	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	1	1.0	1.0