偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜/基体系性能的影响

• 作者: 张荣禄 李曙 杨洪刚
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微纳米材料 摩擦磨损 润滑 自修复
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 20-25
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 4744字
• 语种: 中文

摘要

采用多弧离子镀工艺在钛合金或低碳钢基材上制备TiN薄膜,研究了不同偏压及不同氮分压下制备的薄膜相结构、残余应力、膜/基体系硬度、膜/基结合及其摩擦磨损行为.结果表明:偏压影响TiN晶粒的择优取向,偏压绝对值越大则薄膜内部的残余应力也越大;偏压过高或过低都会降低薄膜与基材之间的结合强度,从而影响其摩擦学性能.氮分压上升,TiN熔滴粒度变大,Ti2N相减少,导致薄膜硬度提高;由过高或过低氮分压制备的膜/基体系在划痕试验中测得的临界载荷均较小;随着氮分压的增加,在试验范围内样品的摩擦因数下降但耐磨性并未获得预期的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李曙	中国科学院金属研究所	63	883	16.0	28.0
2	杨洪刚	中国科学院金属研究所	3	12	1.0	3.0
3	张荣禄	中国科学院金属研究所	3	61	3.0	3.0