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脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究
SRAM
脉冲激光
单粒子翻转效应
激光聚焦深度
激光脉冲注量
快速退火处理对ZrO2基电荷陷阱存储器件的影响
脉冲激光沉积
存储器件
纳米晶
脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究
Si薄膜
脉冲快速光热退火
拉曼光谱
扫描电子显微镜
深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究
脉冲激光
单粒子翻转效应
单粒子闩锁效应
单粒子微闩锁效应
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 激光脉冲退火提高器件的性能
来源期刊 集成电路应用 学科
关键词
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 专题文章
研究方向 页码范围 33-36
页数 4页 分类号
字数 5909字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2583.2009.05.006
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
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15
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