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摘要:
利用载流子输运模型对飞秒激光辐照下单晶硅亚微米薄膜中的能量输运过程进行数值模拟.研究了不同辐照能量密度和不同激光波长对载流子密度和温度超快变化过程的影响规律.结果表明,在800 nm激光辐照下,不同入射能量密度仅影响载流子密度和温度响应的峰值,但达到峰值的时刻不变.平衡态的恢复过程受入射能量密度影响很小.在不同波长激光辐照下,光子能量越大,载流子密度和温度达到峰值所用时间越短,对应峰值越大,但衰减速度也越快.当入射光子能量大于单晶硅的直接带隙时,快速衰减时间常数可以与载流子能量弛豫时间相当.
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内容分析
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文献信息
篇名 飞秒激光辐照下单晶硅薄膜中超快能量输运的数值模拟
来源期刊 应用光学 学科 工学
关键词 飞秒激光 能量输运 数值模拟 单晶硅薄膜
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目 激光技术
研究方向 页码范围 325-329
页数 5页 分类号 TN249
字数 2923字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2082.2009.02.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王贵兵 中国工程物理研究院流体物理研究所 19 158 9.0 11.0
2 李剑峰 中国工程物理研究院流体物理研究所 35 122 6.0 9.0
3 刘国栋 中国工程物理研究院流体物理研究所 17 74 5.0 8.0
4 罗福 中国工程物理研究院流体物理研究所 15 128 6.0 11.0
5 付博 中国工程物理研究院流体物理研究所 15 51 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
飞秒激光
能量输运
数值模拟
单晶硅薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
应用光学
双月刊
1002-2082
61-1171/O4
大16开
西安市电子城电子三路西段9号(西安123信箱)
1980
chi
出版文献量(篇)
3667
总下载数(次)
3
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