Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

• 作者: 严仲明 李德柱 李统业 王豫 董亮
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ce掺杂 WO_3 薄膜 磁控溅射 显微结构 电学性质
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 963-967
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|TN305.92
• 字数: 2875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2009.06.028

摘要

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王豫	西南交通大学超导研究开发中心	50	254	8.0	13.0
2	严仲明	西南交通大学超导研究开发中心	32	171	8.0	11.0
3	董亮	西南交通大学超导研究开发中心	29	131	7.0	10.0
4	李德柱	西南交通大学超导研究开发中心	7	8	2.0	2.0
5	李统业	西南交通大学超导研究开发中心	4	18	2.0	4.0