硅漂移探测器的制作工艺及特性研究

• 作者: 吴广国 孟祥承 曹学营 李秀芝 杨茹 梁琨 王焕玉 贾彬 韩德俊 黄勇
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅漂移探测器 制作工艺 光响应度 漂移特性 悬空阳极电位
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 436-441
• 页数: 6页
• 分类号: O572
• 字数: 3729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2009.02.050

摘要

采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD).这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度.对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对233Pu a射线源的能谱进行了测量.对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论.报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法.