动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺

• 作者: 仇圣棻 吴萍 彭坤 王飚 肖德元
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化钨 侧壁残留 漏电流 快速热处理 湿法清洗 动态随机存储器
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 305-309
• 页数: 5页
• 分类号: TN3O4
• 字数: 2859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2009.04.005

摘要

动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化/鸽原子组成比为2.45.透射电镜(1'EM)及电性参数测试结果表明,经30 s、1000℃快速热处理可获得方块阻值为12Ω/cm2的硅化钨,且可刻蚀性能好.在硅化钨刻蚀前利用电子束扫描发现,15 min的氢氟酸和10 min浓硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)在300 W超声波条件下的新湿法清洗工艺.能去除84.7%的表面微粒及残留聚合物.整合上述优化工艺可以将硅化钨残留造成的65 nm动态随机存储器芯片失效率由31.3%降到1.9%,为研究下一代产品提供有效借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王飚	昆明理工大学机电学院	26	164	7.0	12.0