Al掺杂ZnO薄膜的热处理工艺与性能研究

• 作者: 刘心宇 江民红
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZAO薄膜 真空退火 导电性能 组织
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|TB34
• 语种: 中文

摘要

采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响.结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室	224	1450	18.0	23.0
5	江民红	桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室	50	214	8.0	11.0