多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究

• 作者: 何亮 张天福 杜磊 赵鸿飞 陈伟华
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 1/f噪声 迁移率涨落 载流子数涨落
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 88-91
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.11.024

摘要

在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型.通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
3	陈伟华	西安电子科技大学技术物理学院	6	58	3.0	6.0
4	张天福	西安电子科技大学技术物理学院	2	37	1.0	2.0
5	赵鸿飞	西安电子科技大学技术物理学院	3	7	2.0	2.0