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摘要:
本文描述了一种与CMOS工艺完全兼容的热电堆微型热传导真空传感器.该传感器可在商业化的标准CMOS生产流水线上进行流片,配合后续的无掩模体硅各向异性腐蚀工艺,即可完成全部制造程序.器件敏感部分为124μm×100μm的多层复合薄膜架空结构,其卜制作了n型多晶硅加热器、20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆.利用加热器对复合薄膜加热,在不同的真空状态下,薄膜呈现不同温度,温度值由热电堆转换为温差电动势输出.本文在以下方面进行详细描述:1.器件的结构设计和制造工艺;2.器件的稳态和瞬态有限元分析;3.测试结果与理论分析的对照.结果表明,在加热器1.5V恒压驱动条件下,器件的气压敏感范围为0.1Pa~l05Pa(空气),此时热电堆输出电压范围为26mV~50mV,最大响应时间预计为1.4ms.
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文献信息
篇名 基于热电堆结构的微型热传导真空传感器
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 热传导真空传感器 热电堆 塞贝克效应 微机电系统 四甲基氢氧化铵 有限元分析
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 218-223
页数 6页 分类号 TB77|TN377|TP212
字数 4512字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 梁平治 中国科学院上海技术物理研究所 28 252 9.0 15.0
2 程正喜 中国科学院上海技术物理研究所 9 21 3.0 4.0
3 马斌 中国科学院上海技术物理研究所 22 129 7.0 10.0
4 陈世军 中国科学院上海技术物理研究所 20 98 5.0 8.0
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真空科学与技术学报
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大16开
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1981
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