纳米SiC陶瓷的超高压烧结研究

• 作者: 冷邦义 罗德礼 谢茂林 陈伟 鲁伟员 鲜晓斌
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 氧化铝 烧结 超高压
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文,英文
• 页码范围: 1268-1272
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.07.038

摘要

以纳米SiC为原料,用两面项压机在不同工艺条件下(1 000～1 300℃,4.0～4.5 GPa,15～35 min)实现了40(质量分数,下同)Al2O3烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响.用X射线衍射、扫描电镜、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征.结果表明:Al2O3是有效的低温烧结助剂,在超高压工艺下添加4%Al2O3即可实现SiC陶瓷全致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩了约0.45%;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力的升高或保温时间的延长而提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗德礼		48	236	9.0	13.0
2	冷邦义		10	57	5.0	7.0
3	鲜晓斌		47	280	10.0	12.0
4	陈伟		21	38	3.0	4.0
5	谢茂林		4	35	4.0	4.0