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摘要:
报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分析,发现砷掺杂基区长波器件的很多性能如优值R0A、电流响应率、黑体探测率都要优于汞空位基区长波器件.
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文献信息
篇名 砷掺杂基区n-on-p长波光伏碲镉汞探测器的光电特性
来源期刊 激光与红外 学科 工学
关键词 碲镉汞 光伏探测器 砷掺杂 R0A 暗电流
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 红外材料与器件
研究方向 页码范围 510-513
页数 4页 分类号 TN303
字数 2845字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5078.2009.05.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘斌 中国科学院上海技术物理研究所材器中心 230 3876 32.0 56.0
2 胡晓宁 中国科学院上海技术物理研究所材器中心 31 241 9.0 14.0
3 李海滨 中国科学院上海技术物理研究所材器中心 116 2422 23.0 45.0
4 周文洪 中国科学院上海技术物理研究所材器中心 9 74 4.0 8.0
5 邓屹 中国科学院上海技术物理研究所材器中心 1 1 1.0 1.0
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2014(1)
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研究主题发展历程
节点文献
碲镉汞
光伏探测器
砷掺杂
R0A
暗电流
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
激光与红外
月刊
1001-5078
11-2436/TN
大16开
北京8511信箱《激光与红外》杂志社
2-312
1971
chi
出版文献量(篇)
5805
总下载数(次)
16
总被引数(次)
44711
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