氧分压和沉积速率对YSZ薄膜残余应力的影响

• 作者: 肖祁陵 范正修 邵建达 邵淑英
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 残余应力 YSZ薄膜 氧分压 沉积速率
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1195-1199
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20093605.1195

摘要

采用摩尔分数为7%的Y2O3掺杂的ZrO2混合烧结料为原料,在不同的氧分压和沉积速率下用电子柬蒸发方法沉积氧化钇稳定氧化锫(YSZ)薄膜样品.利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪对YSZ薄膜的残余应力进行了研究,讨论了氧分压和沉积速率等工艺参量对残余应力的影响.实验结果表明,不同氧分压和沉积速率下,YSZ薄膜的残余应力均为张应力;应力值随氧分压的升高先增大后减小,随沉积速率的增加单调增加.热应力对薄膜所呈现的张应力性质起着决定性作用,同时应力值的大小受本征应力和附加应力的影响.通过对样品的X射线衍射(XRD)测试,结合薄膜微结构的变化,对应力的形成原因进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
3	肖祁陵	中国科学院上海光学精密机械研究所	3	35	3.0	3.0
7	邵淑英	中国科学院上海光学精密机械研究所	18	309	9.0	17.0