利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器

• 作者: 万里兮 吕垚 李宝霞
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体pn结 结电容 沟道电容 半导体工艺 电容器
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN603
• 字数: 1227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.10.004

摘要

为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器.其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9 F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200 MHz至数GHz的退耦或其他场合.同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万里兮	中国科学院微电子研究所	22	115	5.0	10.0
2	李宝霞	中国科学院微电子研究所	14	116	5.0	10.0
3	吕垚	中国科学院微电子研究所	4	28	2.0	4.0