三温区坩埚下降法生长Cd1-x Znx Te单晶体

• 作者: 何知宇 唐世红 朱世富 李新磊 王智贤 赵北君 邱春丽 陈宝军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe 单晶生长 坩埚下降法 三温区
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: O782
• 字数: 1615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.01.017

摘要

CdZnTe晶体是一种性能优畀的室温核辐射探测器材料.在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响.根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体.通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104 cm-2,电阻率为109～1010 Ω·cm的Cd0.9 Zn0.1 Te单晶体.表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学与工程学院	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学与工程学院	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学与工程学院	56	160	7.0	9.0
4	王智贤	四川大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
5	邱春丽	四川大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
6	李新磊	四川大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
7	何知宇	四川大学材料科学与工程学院	69	221	8.0	11.0