碘化铅单晶体生长工艺分析

• 作者: 朱兴华 贺毅 赵欣 邱春丽 金应荣
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 碘化铅 坩埚下降法 晶体富碘
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 168-171
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 1516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.037

摘要

在坩埚下降法生长PbI2单晶体的过程中,如何解决晶体中的富碘问题是一个研究关键.本文采用坩埚下降法生长出了三种不同颜色的富碘PbI2单晶体.实验中发现:通过合理的选择坩埚在温场中的生长位置,可最大限度的减轻晶体富碘现象,分析了相关工艺,得出了最优工艺方案.结果表明:在适当的工艺条件下,坩埚下降法设备简单,易于操作,是生长PbI2单晶体的优良方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金应荣	西华大学材料科学与工程学院	59	141	5.0	7.0
2	朱兴华	西华大学理化学院	5	18	2.0	4.0
3	贺毅	西华大学材料科学与工程学院	28	114	6.0	9.0
4	赵欣	西华大学材料科学与工程学院	3	14	2.0	3.0
5	邱春丽	西华大学材料科学与工程学院	2	18	2.0	2.0