多孔硅整流特性研究

• 作者: 彭爱华
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 整流特性 退火
• 年，卷（期）: 2009,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 6498-6500
• 页数: 3页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1815.2009.21.047

摘要

从多孔硅的最基本的器件结构--金属/多孔硅/硅入手,研究这种结构的电学性质:整流特性,对进一步理解和提高多孔硅的电致发光和多孔硅在其它一些电学方面的应用有着积极的意义.用电化学腐蚀法制得多孔硅,对多孔硅电化学氧化和氮气气氛下退火,研究这两种后处理方式对多孔硅整流特性的影响.多孔硅经高浓度硫酸电化学氧化后,整流特性消失;多孔硅经氮气气氛下退火后,整流特性增强;分析了相应的机理.