CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析

• 作者: 俞笑竹 叶超 宁兆元 张海燕 杜杰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCOH薄膜 热处理 结构与性能
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 575-579
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.091

摘要

研究了真空热处理对掺CH.的SiCOH低介电常数薄膜的电流.电压(I-V)特性、电容.电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	70	528	12.0	18.0
2	张海燕	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	15	75	6.0	8.0
3	叶超	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	33	244	10.0	14.0
4	杜杰	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料实验室	7	2	1.0	1.0
5	俞笑竹	上海交通大学物理系	1	0	0.0	0.0