SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析

• 作者: 叶超 宁兆元 王婷婷 程珊华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低介电常数 SiCOH薄膜 化学键结构
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 892-896
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2411字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.02.067

摘要

以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了具有低介电常数,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜. 通过对富氏变换红外光谱(FTIR)的分析,比较了反应源和薄膜键结构的差异,证实薄膜中一方面保持了源中由Si-O-Si键构成的环结构,另一方面形成了由大键角Si-O-Si键构成的鼠笼式结构,在沉积过程中失去的主要是侧链的-CH3基团. 薄膜经过400℃热处理后,其介电常数由3.85降低到2.85,对其FTIR谱的分析指出,薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	70	528	12.0	18.0
2	叶超	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	33	244	10.0	14.0
3	程珊华	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	30	347	11.0	17.0
4	王婷婷	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	26	109	7.0	9.0