功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究

• 作者: 吴春瑜 王颖 郑英兰 钟玲
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 斜角造型器件 半绝缘多晶硅 漏电流 钝化
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学与材料科学
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN342.4
• 字数: 2199字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2010.01.003

摘要

本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	55	237	9.0	13.0
2	吴春瑜	辽宁大学物理学院	56	150	6.0	9.0
3	钟玲	沈阳炮兵学院雷达教研室	9	18	3.0	4.0
4	郑英兰	沈阳职业技术学院电气工程系	7	31	3.0	5.0