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CMOS带隙基准电压源电路的模拟
CMOS带隙基准电压源电路的模拟
作者:
杨园
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
曲率补偿
带隙基准
温度系数
电源电压抑制比
摘要:
利用CSMC 0.6μm CMOS标准工艺及OrCAD模拟电路设计软件环境,设计了2种具有曲率补偿的带隙基准电压源电路,并用Hspice对电路的温漂、电源抑制比、电源电压稳定性及电路功耗进行了仿真.仿真结果表明,第1种在-20℃~130℃温度范围内,温度系数为29.97×10-6/℃;第2种在-20℃~130℃温度范围内,温度系数为12.73×10-6/℃.
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曲率校正
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一种CMOS带隙基准电压源设计
CMOS
带隙基准
低温度系数
电源抑制比
一个1.2 V,9 ppm/℃的CMOS带隙电压基准源
CMOS
衬底驱动
低压
曲率补偿
电压基准源
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
CMOS带隙基准电压源电路的模拟
来源期刊
北京信息科技大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
曲率补偿
带隙基准
温度系数
电源电压抑制比
年,卷(期)
2010,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
66-71
页数
分类号
TN433
字数
2744字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1674-6864.2010.04.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨园
北京信息科技大学理学院
6
2
1.0
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传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
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研究主题发展历程
节点文献
曲率补偿
带隙基准
温度系数
电源电压抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京信息科技大学学报(自然科学版)
主办单位:
北京信息科技大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1674-6864
CN:
11-5866/N
开本:
大16开
出版地:
北京市
邮发代号:
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
2043
总下载数(次)
10
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