TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析

• 作者: 刘以农 刘敏波 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 陈伟 黄绍艳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 化学
• 关键词: 线阵CCD 总剂量效应 暗信号电压 饱和输出电压 辐照损伤机理
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜与光电
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: O605|TN386.5
• 字数: 3036字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.01.005

摘要

研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受60Coγ辐照后暗信号电压和饱和输出电压随总剂量累积的变化规律,并进行了损伤机理分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	王祖军	清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室	22	178	7.0	12.0
4	刘敏波		22	147	8.0	10.0
5	肖志刚		29	227	8.0	13.0
6	张勇		23	200	8.0	12.0
7	黄绍艳		27	220	8.0	13.0
8	陈伟		95	286	8.0	11.0
9	刘以农	清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室	39	271	9.0	14.0