Ku波段GaAs单片功率放大器

• 作者: 何庆国 吴思汉 王会智
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs KU波段 单片放大器 PHEMT 脉冲
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 456-459
• 分类号: TN304.23|TN43
• 字数: 1780字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.012

摘要

基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器.简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器.经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13～14 GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率P.>38 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20 dB,典型功率附加效率PAE＞28%;第二款电路的饱和输出功率P.>40 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19 dB,典型功率附加效率PAE>28%.结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王会智		4	16	3.0	4.0
2	吴思汉		6	30	3.0	5.0
3	何庆国		2	5	2.0	2.0