抗辐射加固封装国产存储器的电子辐照试验

• 作者: 卫宁 周聪莉 文林 杜婕 王剑峰 郭旗
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射封装 屏蔽 存储器芯片 电子辐照试验
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: TN43|TL75+2.2
• 字数: 3787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2010.01.021

摘要

用特种复合屏蔽材料和缝焊封接工艺进行抗辐射封装,在普通封装存储器28C256的基础上,研制了抗辐射封装加固存储器LS28C256R.设计专用试验测试电路板和测试软件,以进行存储器器件加电工作条件下电子加速器辐照试验的动态测试.辐照对比试验结果表明,加固存储器LS28C256R的抗电子源辐照能力比普通封装存储器28C256提高1～2个数量级,为商用成品(Commercial Off-The-Shelf, COTS)器件在空间领域中的应用提供了技术支撑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
2	文林	中国科学院新疆理化技术研究所	8	25	3.0	5.0
3	卫宁		1	8	1.0	1.0
4	王剑峰		1	8	1.0	1.0
5	杜婕		1	8	1.0	1.0
6	周聪莉		1	8	1.0	1.0