X波段 50W GaN功放管的应用研究

• 作者: 倪峰 冯皓 方建洪
• 来源期刊: 火控雷达技术
• 学科: 工学
• 关键词: X-band GaN 功率放大器 偏置电路 自激
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 接收/发射技术
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 2384字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-8652.2010.01.016

摘要

氮化镓 (GaN)作为新一代半导体材料,具有高功率容量和高热容性等特点,所以GaN微波功率器件成为近几年研究的热点.随着GaN功放管的功率不断提高,以氮化镓 (GaN) 为基础的微波功率器件的应用取得了很大的进步.本文对氮化镓 (GaN) 功率器件的特点和现状进行了介绍,并对X波段 50W GaN功放管的电路设计、影响电路的因素进行了分析和研究.最后完成了一个X波段 50W固态功放的设计,并给出了测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方建洪		5	38	3.0	5.0
2	冯皓		4	36	3.0	4.0
3	倪峰		1	18	1.0	1.0