聚苯乙烯(PS)颗粒抛光液特性对铜表面化学机械抛光的影响

• 作者: 刘岩 戴媛静 潘国顺 龚剑锋
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 聚苯乙烯颗粒(PS) 去除速率
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TH117.1
• 字数: 2232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2010.07.001

摘要

铜互连与低-k介质在集成电路制造中的应用对表面平坦化提出更高的要求.为改善铜层化学机械抛光(Cu-CMP)效果,将聚苯乙烯(PS)颗粒应用于铜的化学机械抛光液,分析PS颗粒抛光液中氧化剂、络合剂、pH值、粒径及颗粒含量对铜的化学机械抛光性能的影响,并通过静态腐蚀及电化学手段对PS颗粒在抛光液中的化学作用进行了分析.实验结果表明,当以过氧化氢(H2O2)为氧化剂,氨基乙酸(C2H5NO2)为络合剂时,优化后的PS颗粒抛光液取得了较高的铜抛光去除速率,达到1 μm/min,同时发现PS颗粒的加入增强了抛光液的化学腐蚀作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘国顺	清华大学摩擦学国家重点实验室	27	358	12.0	18.0
5	刘岩		23	123	6.0	10.0
6	戴媛静	清华大学摩擦学国家重点实验室	15	39	4.0	6.0
7	龚剑锋	清华大学摩擦学国家重点实验室	2	4	1.0	2.0