ICP刻蚀在微加速度传感器制作中的应用

• 作者: 刘彩霞 周敬然 张海英 瞿鹏飞 董玮
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统(MEMS) 加速度传感器 反应离子刻蚀 高深宽比 深刻蚀
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 713-717
• 分类号: TH703|TN405.98
• 字数: 1827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.11.012

摘要

针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为40μm时深刻蚀的最佳工艺参数,即采用BOSCH工艺,压力设定为6 Pa,在刻蚀过程中通入流量为100 cm3/min的SF6气体,持续11 s,射频功率20 W,源功率450 W,保护过程中通入流量为75 cm3/min的C4F8气体,持续10s,射频功率0W,源功率220 W,得到了最佳刻蚀结果,并利用此工艺制作出了量程为±12 g,灵敏度为79 mV/g,精度高于±2%微机械加速度传感器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	瞿鹏飞		1	2	1.0	1.0
2	董玮		2	5	2.0	2.0
3	刘彩霞		1	2	1.0	1.0