LED芯片封装缺陷检测方法研究

• 作者: 文玉梅 蔡有海
• 来源期刊: 中国照明
• 学科: 工学
• 关键词: LED芯片 封装缺陷检测 p-n结光生伏特效应 电子隧穿效应 非金属膜层
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 70-74
• 页数: 5页
• 分类号: TN405

摘要

引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免，基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应，分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感受定律对LED支架回路光电流进行非接触检测，得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况，并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明，该方法具有高检测信噪比，能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。