不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

• 作者: 任迪远 兰博 崔江维 李茂顺 杨永晖 王义元 王志宽 费武雄 赵云 郑玉展 陆妩 陈睿
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: NPN双极晶体管 低剂量率 偏置 60Coγ辐照
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 274-277
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2795字
• 语种: 中文

摘要

对NPN双极晶体管进行了低剂剂率下不同偏置条件的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基一射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著.而基射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减郜最小.讨论了出现这种结果的内在机制.